主要开展半导体材料的光电性质增强与改性，探索新型光电器件的机理，对低维半导体结构的光电磁性质进行量子调控方法进行分析，研究新型高效光电转换材料，结合二维材料以及新型的电光材料，对光调制器件的性能进行研究和优化。
从宽带隙半导体材料光电性质研究着手，研发高性能的、高稳定度的新一代光电半导体器件，如光电转换器件、场效应管等可集成器件。作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有巨大的应用潜力，探索GaN的光电磁特性及其相关器件性能的研究。
半导体材料的光电性质和传感器物性的基础研究在取得了一定的研究成果，2021年发表学术论文55篇，年终统计的论文他引总次数超过100次，单篇最大被引27次，学术研究得到同行的认可。实验室获批国家基金面上项目和河南省优秀青年科学基金项目经费85万元。