4月20日，国际权威学术期刊《Advanced Materials》（IF=27.398）报道了我院的最新研究成果——Cross-Substitution Promoted Ultrawide Bandgap up to 4.5 eV in a 2D Semiconductor: Gallium Thiophosphate，我院青年教师闫勇、半导体所杨珏晗助理研究员、北京大学杜娟博士研究生为该论文共同第一作者，我院夏从新教授与中科院半导体所魏钟鸣研究员为文章共同通讯作者，为第一单位。
近年来兴起的宽禁带二维半导体，具有天然的短波长选择性和独特的物理性能，是制作高性能紫外光电探测器的理想材料，表现出广阔的应用前景并受到了国内外众多学者的关注。团队以GeS2（Eg = 3.4 eV）为模型，采用共替换的方法设计了新型超宽禁带二维半导体GaPS4材料，并成功的制备出其单晶材料，研究表明此类材料具有更大的光学带隙(单层：4.50 eV)和优越的日盲紫外光探测灵敏度(1.98×1012 Jones)。此外，得益于面内结构各向异性，GaPS4光探测器还具有偏振敏感特性，在日盲紫外偏振探测领域有潜在的应用前景。
（物理学院 闫勇 张浩兴）
该文章是二维材料与光电器件团队围绕二维宽禁带锗硫属化合物及异质结研究相关工作取得又一进展。本研究得到了国家自然科学基金、青年培育基金、河南省科技攻关等项目支持。
文章链接：https:// doi.org/10.1002/adma.202008761
前期工作链接：https://doi.org/10.1002/advs.201903252
https://doi.org/10.1002/adom.201900622